基于FET的核酸探测传感器
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种核酸探测传感器包括场效应晶体管、基于场效应晶体管的阈值电压的变化程度从样品中探测具有序列的目标核酸分子的探测器，以及与目标核酸分子的对应一个杂交的并固定在场效应晶体管的栅上的至少一个核酸探针分子，其中场效应晶体管的栅宽度具有由下面给出的表达式(ε0εrkBT/e2n)1/2所获得的长度的量级，其中ε0是真空的介电常数，εr是沟道区的相对介电常数，kB是玻尔兹曼常数，T是沟道区的绝对温度，e是元电荷，并且n是场效应晶体管中形成沟道的沟道区中的平衡载流子密度。
基本信息
专利标题 ：
基于FET的核酸探测传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101006338A
申请号 ：
CN200580028101.9
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大内真一
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN200580028101.9
主分类号 ：
G01N27/414
IPC分类号 ：
G01N27/414
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/18
••••由于被试环境物质的热传导变化引起的电阻
G01N27/26
通过测试电化学变量；用电解或电泳法
G01N27/403
电池和电极组件
G01N27/414
对离子敏感的场效应晶体管或化学场效应晶体管，即ISFETS或CHEMFETS
法律状态
2011-01-05 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101058491531
IPC(主分类) : G01N 27/414
专利申请号 : 2005800281019
公开日 : 20070725
号牌文件序号 : 101058491531
IPC(主分类) : G01N 27/414
专利申请号 : 2005800281019
公开日 : 20070725
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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