太阳能电池背接触上的导电层的接触隔离方法和相应的太阳能电...
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摘要
公开了一种生产包含半导体衬底(2)的太阳能电池(1)的方法，其电接触实现在半导体衬底的背面上。半导体衬底的背面包含局部掺杂区域(3)。相邻区域(4)具有与所述区域(3)不同的掺杂。根据本发明，可以避免太阳能电池的导电材料(5)的短路，由此区域(3，4)至少在其边界(6)处覆盖有电绝缘薄层(7)。然后在两区域(3，4)的整个表面上覆盖导电材料(5)。导电材料层(5)的隔离通过将蚀刻阻挡层(8)覆盖在其整个表面上来实现，随后不使用掩蔽而是例如通过激光烧蚀在绝缘层(7)上方选择性局部移除所述蚀刻阻挡层(8)。通过蚀刻溶液的后续腐蚀，从蚀刻阻挡层(8)的开口区域(9)中局部移除导电层(5)。
基本信息
专利标题 ：
太阳能电池背接触上的导电层的接触隔离方法和相应的太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101048875A
申请号 ：
CN200580035004.2
公开（公告）日 ：
2007-10-03
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安德烈亚斯·泰普彼得·恩格尔哈特约格·米勒
申请人 ：
太阳能研究所股份有限公司
申请人地址 ：
德国埃默塔尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾晋伟
优先权 ：
CN200580035004.2
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/04 H01L31/06 H01L31/18
法律状态
2009-08-05 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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