半导体器件及相应方法
授权
摘要
各个实施例涉及半导体器件及相应方法。一种半导体器件包括：一个或多个半导体裸片；支撑一个或多个半导体裸片的裸片焊盘；模制到由所述裸片焊盘支撑的一个或多个半导体裸片上的封装件，其中裸片焊盘被暴露在封装件的表面处；以及暴露的裸片焊盘，其中具有蚀刻图案以在裸片焊盘中形成至少一个电接触焊垫。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及相应方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107342276A
申请号 ：
CN201611236433.2
公开（公告）日 ：
2017-11-10
申请日 ：
2016-12-28
授权号 ：
CN107342276B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
F·G·齐格利奥利
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201611236433.2
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L25/16 H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2017-12-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/495
申请日 : 20161228
申请日 : 20161228
2017-11-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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