镶嵌铜布线图像传感器

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

一种CMOS图像传感器阵列(100)及其制造方法，其中所述传感器包括铜(Cu)金属化层(M1、M2)，允许结合具有改善的厚度均匀性的更薄的层间电介质叠层(130a－c)以获得光敏度提高的像素阵列。在传感器阵列中，每一个Cu金属化层包括形成在每一个阵列像素之间的位置的Cu金属布线结构(135a、135b)。阻挡材料层(132a、132b)形成在横越像素光路的每一个Cu金属布线结构的顶部。通过实施单掩模或自对准掩模方法，执行单次蚀刻以彻底地去除横越所述光路的阻挡层和层间电介质。然后用电介质材料(150)再填充蚀刻的开口(51)。在淀积再填充电介质之前，反射层或吸收材料层(140)沿着蚀刻开口的侧壁形成以通过反射光到下伏的光电二极管(18)或通过消除光反射来提高像素的灵敏度。

基本信息

专利标题：

镶嵌铜布线图像传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101044631A

申请号：

CN200580035823.7

公开（公告）日：

2007-09-26

申请日：

2005-11-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

詹姆斯·W.·阿德金森杰弗里·P.·加比诺马克·D.·加菲罗伯特·K.·莱迪安东尼·K.·斯坦博

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李春晖

优先权：

CN200580035823.7

主分类号：

H01L31/062

IPC分类号：

H01L31/062 H01L21/00

法律状态

2021-03-26 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 31/062
变更事项 : 专利权人
变更前 : 思特威（上海）电子科技有限公司
变更后 : 思特威（上海）电子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
变更后 : 201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室

2020-07-14 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 31/062
登记生效日 : 20200624
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 思特威电子科技（开曼）有限公司
变更后权利人 : 思特威（上海）电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛
变更后权利人 : 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室

2018-09-11 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 31/062
登记生效日 : 20180822
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 思特威电子科技（开曼）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛

2009-08-26 ：

授权

2007-11-21 ：

实质审查的生效

2007-09-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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