用于绝缘体上硅（SOI）技术的电可编程熔丝

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明描述了一种熔丝结构及其形成方法，其中在优选为绝缘体上硅晶片的绝缘体(53)上用晶体半导体主体(52)形成所述熔丝的导电主体(50)，并用填充介质(54)将其包围。填充介质(54)优选为最小化晶体主体(52)上的应力的材料，例如氧化物。晶体半导体主体(52)可以被掺杂。导电主体(50)也可以包括晶体半导体主体(52)顶表面上的例如硅化物层的导电层(51)。此熔丝结构可以成功地在很宽的编程电压和时间范围上编程。

基本信息

专利标题：

用于绝缘体上硅（SOI）技术的电可编程熔丝

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101061584A

申请号：

CN200580040015.X

公开（公告）日：

2007-10-24

申请日：

2005-11-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

C·科塔达拉曼E·马切耶夫斯基

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200580040015.X

主分类号：

H01L29/00

IPC分类号：

H01L29/00

法律状态

2017-11-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/00
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-11-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/00
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2010-06-09 ：

授权

2007-12-19 ：

实质审查的生效

2007-10-24 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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