用于为互连焊盘提供结构支撑同时允许信号传导的方法和装置
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
一种方法(10)，在下面的功能金属层与低模量电介质绝缘时提供具有增强的结构支撑的互连(60、160、260)结构。具有多个开口的第一金属层(80)位于基板上面。第一电绝缘层(82)位于第一金属层上面。第二金属层(84)位于第一电绝缘层上面，该第二金属层具有多个开口。定义了互连焊盘区域的互连焊盘(61、140)位于第二金属层上面。使两个金属层中的至少特定数量的开口(98、99)对准，以提高互连结构的结构强度。对准的数量可以依赖于应用和所使用的材料而有所不同。线接合连接或者传导凸点可以同该互连结构一起使用。
基本信息
专利标题 ：
用于为互连焊盘提供结构支撑同时允许信号传导的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101167170A
申请号 ：
CN200580040951.0
公开（公告）日 ：
2008-04-23
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
凯文·J·埃斯苏珊·H·唐尼詹姆斯·W·米勒杨俊才
申请人 ：
飞思卡尔半导体公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆德骏
优先权 ：
CN200580040951.0
主分类号 ：
H01L21/44
IPC分类号 ：
H01L21/44 H01L23/48 H01L23/52 H01L29/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/44
用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2017-12-08 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/44
变更事项 : 专利权人
变更前 : 飞思卡尔半导体公司
变更后 : 恩智浦美国有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国得克萨斯
变更后 : 美国得克萨斯
变更事项 : 专利权人
变更前 : 飞思卡尔半导体公司
变更后 : 恩智浦美国有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国得克萨斯
变更后 : 美国得克萨斯
2009-11-18 ：
授权
2008-06-18 ：
实质审查的生效
2008-04-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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