光电导器件
专利权的终止
摘要
一种半导体结构，包含：GaAs或InP衬底；生长于衬底上的InxGa1－xAs外延层，其中x大于约0.01且小于约0.53；以及在InxGa1－xAs外延层上生长的作为罩层的更宽能带隙的外延层。
基本信息
专利标题 ：
光电导器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101313412A
申请号 ：
CN200580041877.4
公开（公告）日 ：
2008-11-26
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗伯特·N·萨克斯马修·M·加兹维耶基斯蒂文·L·威廉姆森
申请人 ：
派克米瑞斯有限责任公司
申请人地址 ：
美国密执安
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN200580041877.4
主分类号 ：
H01L31/09
IPC分类号 ：
H01L31/09
法律状态
2020-11-17 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 31/09
申请日 : 20051207
授权公告日 : 20110413
终止日期 : 20191207
申请日 : 20051207
授权公告日 : 20110413
终止日期 : 20191207
2011-04-13 ：
授权
2009-01-21 ：
实质审查的生效
2008-11-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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