用于电流传感器的纳米晶芯、包含纳米晶芯的单和双级能量计以...
授权
摘要
一种没有局部气隙的绕线纳米晶体化芯，包括具有下述原子组成的纳米晶材料：[Fe1－aNia]100－x－y－z－α－β－γCuxSiyBzNbαM′βM″γ，其中a≤0.3，0.6≤x≤1.5，10≤y≤17，5≤z≤14，2≤α≤6，β≤7，γ≤8，M′是元素V、Cr、Al和Zn中的至少一种，M″是元素C、Ge、P、Ga、Sb、In和Be中的至少一种，其具有200到4000之间的磁导率μ，大于1T的饱和，大于0.9T的其中磁导率改变不超过5％的感应范围，小于0.02T的剩磁感应和高于1MHz的截止频率，使得当该芯在超过100℃下经受100h的老化时μ的改变小于1％，当该芯被涂敷时μ的改变小于5％，当温度在－25℃和+60℃之间变化时μ的改变小于15％，并且当温度在－40℃和+120℃之间变化时μ的改变小于25％，并且在－40℃到+120℃之间，μ随温度规则而且几乎线性地变化。
基本信息
专利标题 ：
用于电流传感器的纳米晶芯、包含纳米晶芯的单和双级能量计以及电流探针
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101080789A
申请号 ：
CN200580043176.4
公开（公告）日 ：
2007-11-28
申请日 ：
2005-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
希瑞·瓦可勒法毕恩·西门弗兰西斯科·艾维斯希瑞·瑟弗艾琳·迪米尔
申请人 ：
安费合金公司
申请人地址 ：
法国皮托
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
李德山
优先权 ：
CN200580043176.4
主分类号 ：
H01F1/153
IPC分类号 ：
H01F1/153 H01F38/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F1/00
注意C部类名后的附注3，该附注指出了IPC中所参考的化学元素周期表版本。在本组中，所用的周期系统是在周期表中用罗马数字标注的八族系统。
H01F1/01
无机材料的
H01F1/03
按其矫顽力区分的
H01F1/12
软磁材料的
H01F1/14
金属或合金
H01F1/147
按成分区分的合金
H01F1/153
非晶态合金，如金属玻璃
法律状态
2012-11-14 ：
授权
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-11-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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