磁性多层膜的制造方法
授权
摘要
一种磁性多层膜的制造方法,包括:在衬底上形成第1磁性层的第1磁性层形成工序;在所述第1磁性层上形成非磁性层的非磁性层形成工序;在所述非磁性层上形成第2磁性层的第2磁性层形成工序;其特征在于,该方法还包括等离子体处理工序,在所述非磁性层形成工序之前,将所述衬底放到等离子体处理装置中,使所述衬底与所述等离子体处理装置处于电绝缘状态,用感应耦合等离子体进行处理。
基本信息
专利标题 :
磁性多层膜的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101095246A
申请号 :
CN200580045808.0
公开(公告)日 :
2007-12-26
申请日 :
2005-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
菊地幸男森田正
申请人 :
株式会社爱发科
申请人地址 :
日本神奈川县
代理机构 :
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 :
陆弋
优先权 :
CN200580045808.0
主分类号 :
H01L43/12
IPC分类号 :
H01L43/12 H01L27/105 G11B5/39 H01L43/08 H01L21/8246 H01F41/18
法律状态
2010-05-26 :
授权
2008-02-20 :
实质审查的生效
2007-12-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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