用化学气相沉积方法制备分散在基底上的金属或金属合金纳米粒...
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摘要
通过化学气相沉积(CVD)由一种或多种前体沉积分散在基底上的金属或所述金属合金纳米粒子的方法，所述金属选自元素周期表VIIIB列和IB列的金属，其中所述沉积在包括大于50体积％的反应性氧化性气体的气体存在下进行。包括至少一个这样的表面的基底，该表面上分布有金属或所述金属合金制得的纳米粒子，例如由银或银合金制得的纳米粒子。该基底用于催化化学反应如除去NOx的反应的用途。
基本信息
专利标题 ：
用化学气相沉积方法制备分散在基底上的金属或金属合金纳米粒子的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128619A
申请号 ：
CN200580048631.X
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·托隆F·吕克J·巴劳尔特S·瓦兰戈E·盖卢M·达图里F·康
申请人 ：
原子能委员会;国立科学研究中心;普瓦提埃大学
申请人地址 ：
法国巴黎
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
程大军
优先权 ：
CN200580048631.X
主分类号 ：
C23C16/18
IPC分类号 ：
C23C16/18 C23C16/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/06
以金属材料的沉积为特征的
C23C16/18
自有机金属化合物
法律状态
2012-09-05 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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