用于制备区域有规聚噻吩的卤代噻吩单体
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及导电聚合物和制备导电聚合物的方法。更具体地讲，本发明涉及头－尾偶合的、区域有规的、电荷载流子迁移率和电流调制改进的聚－(3－取代)噻吩的制备方法。本发明还涉及具有两个不同卤素离去基团并比其它方法更有效更经济地制备区域有规的聚－(3－取代)噻吩的单体。本发明还提供聚噻吩聚合物、薄膜和制品。
基本信息
专利标题 ：
用于制备区域有规聚噻吩的卤代噻吩单体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142254A
申请号 ：
CN200580049030.0
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2005-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·维尔纳S·霍耶尔W·根伯格B·克勒－迈尔A·坎施克－康拉德森
申请人 ：
霍尼韦尔国际公司
申请人地址 ：
美国新泽西州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
刘冬
优先权 ：
CN200580049030.0
主分类号 ：
C08G61/12
IPC分类号 ：
C08G61/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08G
用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G61/00
由在高分子主链中形成碳-碳键合的反应得到的高分子化合物
C08G61/12
在高分子主链上含有碳原子以外原子的高分子化合物
法律状态
2011-03-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101075677649
IPC(主分类) : C08G 61/12
专利申请号 : 2005800490300
公开日 : 20080312
号牌文件序号 : 101075677649
IPC(主分类) : C08G 61/12
专利申请号 : 2005800490300
公开日 : 20080312
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101142254A.PDF
PDF下载
