CMOS工艺中射频信号的集成静电释放保护电路
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明属于微电子学与固体电子学领域的超大规模集成电路设计，是一种CMOS工艺中实现射频信号的集成静电释放保护电路。其中的静电释放保护电路可采用传统的静电保护电路实现，设计中将由静电释放保护电路带来的寄生电容统一考虑在输入匹配电路中，由焊盘和静电释放保护电路引起的寄生电容，用于阻抗匹配的片上电容和片上电感共同构成匹配网络，从而同时实现ESD保护电路和输入输出阻抗匹配。阻抗匹配电路中的电容和电感由片上电容和电感实现。这种将静电释放保护电路和阻抗匹配集成在一起设计的方法可以很大程度的降低静电释放保护电路对射频信号的影响。
基本信息
专利标题 ：
CMOS工艺中射频信号的集成静电释放保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009277A
申请号 ：
CN200610001710.1
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭慧民陈杰
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
100029北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
段成云
优先权 ：
CN200610001710.1
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/60 H01L23/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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