补偿STI氧化物处理之后膜的非均匀性的去垢方法
专利权的视为放弃
摘要
一种用于补偿晶片上的径向非均匀性的工艺和方法包括如下步骤：在CMP工艺之后，使晶片上的膜中的旋转厚度不均匀性相对于旋转基座的轴居中；定位旋转处理单元中的喷嘴，以沿着晶片径向引导刻蚀溶液；调整来自喷嘴的刻蚀溶液的流动；调整旋转基座的转速，以控制刻蚀溶液的存留时间；以及协调旋转基座的转速、刻蚀溶液的流动以及喷嘴的定位，以最大化材料的去除。该工艺可以用于补偿STI氧化物的碗形非均匀性。在CMP工艺之后来补偿及解决这些非均匀性。
基本信息
专利标题 ：
补偿STI氧化物处理之后膜的非均匀性的去垢方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828844A
申请号 ：
CN200610003685.0
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
乔纳森·菲利普·戴维斯沃尔特·哈特约瑟夫·佩奇
申请人 ：
里士满英飞凌科技公司
申请人地址 ：
美国弗吉尼亚州
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200610003685.0
主分类号 ：
H01L21/3105
IPC分类号 ：
H01L21/3105 H01L21/311 H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2009-09-09 ：
专利权的视为放弃
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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