存储器地址生成电路和使用该电路的存储控制器
授权
摘要
提供一种存储器地址生成电路和包括该存储器地址生成电路的存储控制器，用户通过该电路可以根据应用该存储器的环境自由地选择生成存储器地址的方法。存储器地址生成电路包括CAS地址选择电路和RAS地址选择电路。CAS地址选择电路使用N(N是整数)个列地址信号和M(M是整数)个CAS地址选择信号输出CAS地址信号。RAS地址选择电路使用K(K是整数)个行地址信号和L(L是整数)个RAS地址选择信号输出RAS地址信号。存储器地址生成电路控制CAS地址选择信号和RAS地址选择信号来执行最适合使用该存储器的系统的存储映射。
基本信息
专利标题 ：
存储器地址生成电路和使用该电路的存储控制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828767A
申请号 ：
CN200610004234.9
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-02-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林敏洙
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200610004234.9
主分类号 ：
G11C8/00
IPC分类号 ：
G11C8/00 G11C11/4063
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C8/00
数字存储器中用于地址选择的装置
法律状态
2011-05-04 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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