具有富硅氧化硅层的存储器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种具有富硅氧化物层的存储器件及其制造方法。所述具有富硅氧化物层的存储器件包括半导体结构、形成在所述半导体衬底上的源极/漏极区、和形成在所述半导体衬底上的栅结构。所述栅结构与所述源极/漏极区接触并包括具有比二氧化硅层(SiO2)大的硅组分的氧化物层。
基本信息
专利标题 ：
具有富硅氧化硅层的存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828945A
申请号 ：
CN200610004241.9
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-02-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
车映官柳寅儆郑守桓
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610004241.9
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L29/51 H01L27/115 H01L21/336 H01L21/8247
法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003370551
IPC(主分类) : H01L 29/788
专利申请号 : 2006100042419
公开日 : 20060906
号牌文件序号 : 101003370551
IPC(主分类) : H01L 29/788
专利申请号 : 2006100042419
公开日 : 20060906
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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