用于图像传感器的氘熔合处理
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明公开了一种熔合图像传感器的方法。该方法包括在半导体基体内形成各种半导体器件，接着在半导体器件上形成绝缘层，最后在形成绝缘层之后且在沉积金属互连层之前，利用氘气熔合该图像传感器。
基本信息
专利标题 ：
用于图像传感器的氘熔合处理
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828870A
申请号 ：
CN200610005234.0
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
霍华德·E·罗德斯
申请人 ：
豪威科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
广州三环专利代理有限公司
代理人 ：
戴建波
优先权 ：
CN200610005234.0
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2017-10-17 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/822
变更事项 : 专利权人
变更前 : 豪威科技有限公司
变更后 : 豪威科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
变更事项 : 专利权人
变更前 : 豪威科技有限公司
变更后 : 豪威科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
2008-11-26 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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