半导体制造工序中产生的废气的处理装置及处理方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种半导体制造工序中产生的废气的处理装置，该装置包括：流入废气的废气流入口；连接设置在上述废气流入口并提供空气的空气注入口；连接设置在上述废气流入口并具有吸附处理由流入口流入的废气的吸附层的吸附反应部；连接设置在上述吸附反应部并具有由吸附反应部排出的废气流入并对此进行催化处理的催化剂层的催化反应部；及连接设置在流入到上述催化反应部的废气的流动路径中并提供水的水注入口。根据本发明，可以在800℃以下去除从半导体制造工序或LCD制造工序中产生的废气中所包含的难分解性过氟化物，可以根据催化剂的填充量处理含有大量以及/或者高浓度的过氟化物的废气。

基本信息

专利标题：

半导体制造工序中产生的废气的处理装置及处理方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101007237A

申请号：

CN200610007988.X

公开（公告）日：

2007-08-01

申请日：

2006-03-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李到禧洪雄基李镇九张源哲金斗晟

申请人：

高化环保技术有限公司

申请人地址：

韩国首尔

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

高龙鑫

优先权：

CN200610007988.X

主分类号：

B01D53/75

IPC分类号：

B01D53/75 B01D53/86 B01D53/04 B01D53/68