大气输送室、被处理体的处理后输送法、程序和存储介质

专利权的终止

摘要

本发明提供一种大气输送室，使得在能够防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时，还能够提高被处理体处理装置的开工率。输送进行了蚀刻处理的晶片W的加载模块(13)，包括了在其内部配置在上侧的FFU(34)，FFU(34)由风扇单元(37)、加热单元(38)、除湿装置(39)和除尘单元(40)组成，风扇单元(37)的内部装有向下侧送出大气的风扇，除湿装置(39)的内部装有对风扇单元(37)送出的大气进行除湿的干燥过滤器(55)，除尘单元(40)的内部装有将通过除湿装置(39)的大气中的粉尘收集的过滤器，由此FFU(34)将导入加载模块(13)内部上侧的大气进行加热、除湿和除尘，供给到加载模块(13)内部的下侧。

基本信息

专利标题：

大气输送室、被处理体的处理后输送法、程序和存储介质

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1835193A

申请号：

CN200610008360.1

公开（公告）日：

2006-09-20

申请日：

2006-02-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

守屋刚广冈隆明清水昭贵田中谕志

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

优先权：

CN200610008360.1

主分类号：

H01L21/3063

IPC分类号：

H01L21/3063 H01L21/3213 H01L21/00 C23F4/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/306

化学或电处理，例如电解腐蚀

H01L21/3063

电解腐蚀

法律状态

2018-03-13 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/3063
申请日 : 20060221
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20170221

2009-04-08 ：

授权

2006-11-22 ：

实质审查的生效

2006-09-20 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载