一种纳米三氧化钨微晶的制备方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种纳米三氧化钨微晶的制备方法，属于化学工艺和新材料合成技术范畴，涉及一种采用高频等离子态化学气相沉积法制备纳米三氧化钨微晶的生产技术。本发明采用卤化钨为基本原料，在富氧的高频等离子态射流气氛中完成氧化反应，经骤冷，制得平均粒径范围为20～60nm的纳米三氧化钨微晶。与其他方法相比，该法制得的微晶纯度高、呈近球形，且粒径大小可控。该法工艺流程短、操作连续，易实现工业化生产。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米三氧化钨微晶的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1830813A
申请号 ：
CN200610012407.1
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙彦平王俊文庄壮陈新谋
申请人 ：
太原理工大学
申请人地址 ：
030024山西省太原市迎泽西大街79号
代理机构 ：
太原市科瑞达专利代理有限公司
代理人 ：
庞建英
优先权 ：
CN200610012407.1
主分类号 ：
C01G41/02
IPC分类号 ：
C01G41/02 C30B25/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G41/00
钨的化合物
C01G41/02
氧化物；氢氧化物
法律状态
2013-04-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101428317654
IPC(主分类) : C01G 41/02
专利号 : ZL2006100124071
申请日 : 20060215
授权公告日 : 20080730
终止日期 : 20120215
号牌文件序号 : 101428317654
IPC(主分类) : C01G 41/02
专利号 : ZL2006100124071
申请日 : 20060215
授权公告日 : 20080730
终止日期 : 20120215
2008-07-30 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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