一种三氧化钨纳米线电致变色薄膜的制备方法
授权
摘要
本发明公开一种WO3纳米线电致变色薄膜的制备方法，应用于电致变色材料与器件领域，针对现有磁控溅射方法制备的薄膜结构致密平滑，与电解液有效接触面积小，使得电致变色器件性能难以进一步提高的问题；本发明以氧化铟锡(ITO)覆盖的玻璃为基片，将银靶和钨靶分别放置在直流靶位和射频靶位，利用共溅射镀膜技术，通过银诱导生长出WO3纳米颗粒；利用反应溅射镀膜技术，通过钆掺杂在WO3纳米颗粒上生长出纳米线结构。WO3纳米线结构薄膜相比WO3致密薄膜明显改善了电致变色性能。
基本信息
专利标题 ：
一种三氧化钨纳米线电致变色薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113549882A
申请号 ：
CN202110616860.8
公开（公告）日 ：
2021-10-26
申请日 ：
2021-06-03
授权号 ：
CN113549882B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
尹伊朱皓宇吴涛
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202110616860.8
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/08 G02F1/1523
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-11-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20210603
申请日 : 20210603
2021-10-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN113549882A.PDF
PDF下载
