MEMS液晶光衰减器阵列及制作方法
专利权的终止
摘要
本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种MEMS液晶光衰减器阵列及制作方法。MEMS液晶光衰减器阵列由单晶硅衬底(10)、入射光纤和出射光纤耦合阵列(5)、填充聚合物分散液晶材料的液晶微槽(4)组成，液晶微槽(4)内的聚合物分散液晶材料由占总重量30％～90％的液晶材料、5％～65％的聚合物单体与适量的稀释剂的混合物、1％～5％的光引发剂经充分搅拌后紫外固化而形成，其中聚合物单体与稀释剂的重量比为1∶5～5∶1。在单晶硅衬底(10)的电极对(7)上加有电场，可以实现对不同光通路中聚合物分散液晶材料的调制，从而实现对多个光通路的光的衰减，进而完成本发明MEMS液晶光衰减器阵列的目的。
基本信息
专利标题 ：
MEMS液晶光衰减器阵列及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1811528A
申请号 ：
CN200610016522.6
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈维友张歆东刘彩霞董玮阮圣平仲志成周敬然
申请人 ：
吉林大学
申请人地址 ：
130023吉林省长春市朝阳区前进大街2699号
代理机构 ：
长春吉大专利代理有限责任公司
代理人 ：
张景林
优先权 ：
CN200610016522.6
主分类号 ：
G02F1/13
IPC分类号 ：
G02F1/13 G02F1/01 G02B6/26 H04B10/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/13
基于液晶的，例如单位液晶显示单元
法律状态
2012-03-21 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101207111358
IPC(主分类) : G02F 1/065
专利号 : ZL2006100165226
申请日 : 20060113
授权公告日 : 20080206
终止日期 : 20110113
号牌文件序号 : 101207111358
IPC(主分类) : G02F 1/065
专利号 : ZL2006100165226
申请日 : 20060113
授权公告日 : 20080206
终止日期 : 20110113
2008-02-06 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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