新型单端单位延迟元件
授权
摘要
目前，应用在DLL电路或其他类似电路中的单端单位延迟元件存在抗噪音能力弱且版图尺寸过大的缺点，使得整个电路的抗噪音能力弱且版图面积比较大。本发明采用PMOS电容代替了现有技术中所使用的NMOS电容，提高了单端单位延迟元件的抗噪音能力并减小了其版图面积，从而可以改善应用该部件的DLL电路或其他类似电路的性能。
基本信息
专利标题 ：
新型单端单位延迟元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009484A
申请号 ：
CN200610023744.0
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵光来
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
上海新高专利商标代理有限公司
代理人 ：
楼仙英
优先权 ：
CN200610023744.0
主分类号 ：
H03K5/13
IPC分类号 ：
H03K5/13 H03L7/08
法律状态
2011-05-11 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
