一种多段加热单端元件底座结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种多段加热单端元件底座结构，包括底座，所述底座侧面圆周开设有外圆槽口并有三个，所述底座一侧开设有限位沉孔，所述限位沉孔底部设置有限位底面，所述限位底面开设有贯穿的穿线孔。本实用新型氧化镁制底座安装方便，提高成品合格率，保证每段镁杆都在不锈钢内中心，绝缘层厚度均匀。
基本信息
专利标题 ：
一种多段加热单端元件底座结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122474894.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
CN216749810U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
马尚忠罗欣毛成鲁继浩
申请人 ：
江苏欧展科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市宝应经济开发区荷香路388号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122474894.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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