防止由阻挡处理对光学元件的污染的方法和设备

专利权的终止

摘要

一种消除用于集成电路器件制造的光刻工艺中的污染物的方法和设备。该方法包括将光阻材料沉积在半导体基片的表面上。净化气流被紧靠光学元件提供以防止来自曝光的光阻材料的蒸汽与所述光学元件进行接触。在一个实施例中，净化气体流入穿孔和开端的封装中，在所述封装中光学元件以透镜形式提供。所述封装的一个开端耦合到所述透镜而另一开端定位于半导体基片的表面之上。所述封装的穿孔促进净化气体到其的运动，消除了与来自经显影的阻挡的蒸汽相接触以及不希望的固体污染沉积在透镜上。

基本信息

专利标题：

防止由阻挡处理对光学元件的污染的方法和设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101034261A

申请号：

CN200610024531.X

公开（公告）日：

2007-09-12

申请日：

2006-03-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈钦裕张旭升林世鸿唐正隆

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦

优先权：

CN200610024531.X

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20 G03F7/00 H01L21/027

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/20

曝光及其设备

法律状态

2020-03-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20060309
授权公告日 : 20100811
终止日期 : 20190309

2011-12-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101241311569
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL200610024531X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111111

2010-08-11 ：

授权

2007-11-07 ：

实质审查的生效

2007-09-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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