一种硫化镉薄膜的生产工艺及设备
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种硫化镉薄膜的生产工艺及设备，其工艺包括以下步骤：(1)将衬底洗净，烘干或吹干，然后紧靠反应器壁放置；(2)将镉盐，铵盐，含硫有机化合物，氨水配制成原料溶液，将其注入反应器中，至淹没衬底顶端；(3)将反应器置于恒温室中，保持水温恒定在70℃至95℃之间，引入20千赫兹～60千赫兹的超声波，反应10～60分钟；(4)反应完毕后，用蒸馏水振荡和硝酸氨溶液超声清洗。其设备包括热介质溶液加热器，恒温室，加热器与恒温室之间设有增压泵，恒温室上部设有反应器悬吊机构，反应器通过悬吊机构悬吊于恒温室内，所述恒温室底部设有超声换能片。本发明成膜速度快，成膜质量高，消耗的原料溶液少，制备工艺操作简单，适于规模化流水线生产。
基本信息
专利标题 ：
一种硫化镉薄膜的生产工艺及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819127A
申请号 ：
CN200610031151.9
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
羊亿刘敏
申请人 ：
湖南师范大学
申请人地址 ：
410181湖南省长沙市岳麓区河西二里半
代理机构 ：
长沙星耀专利事务所
代理人 ：
宁星耀
优先权 ：
CN200610031151.9
主分类号 ：
H01L21/368
IPC分类号 ：
H01L21/368
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/36
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/368
应用液体沉积的
法律状态
2013-03-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101416718276
IPC(主分类) : H01L 21/368
专利号 : ZL2006100311519
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20071031
终止日期 : 20120117
号牌文件序号 : 101416718276
IPC(主分类) : H01L 21/368
专利号 : ZL2006100311519
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20071031
终止日期 : 20120117
2007-10-31 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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