双极性装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种双极性装置，包括一射极形成在半导体基底中；一集极在半导体基底中与射极侧向的分隔；栅极终端形成在半导体基底上，用以定义射极与集极间的距离；以及外质基极形成在半导体基底上，与射极或集极具有预设距离，其中外质基极、射极、集极以及栅极终端均设置在主动区中，通过在半导体基底中的围绕的绝缘层结构来定义主动区。本发明所述双极性装置，具有改善过的效能、相容于互补金属氧化半导体技术、简洁的布局、步骤的简化、以及额外增加一终端，用以调整本身。
基本信息
专利标题 ：
双极性装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838431A
申请号 ：
CN200610056842.4
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄建祥
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610056842.4
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L27/082
相关图片
法律状态
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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