双极性装置
授权
摘要
本发明提供一种双极性装置，包括一射极形成在半导体基底中；一集极在半导体基底中与射极侧向的分隔；栅极终端形成在半导体基底上，用以定义射极与集极间的距离；以及外质基极形成在半导体基底上，与射极或集极具有预设距离，其中外质基极、射极、集极以及栅极终端均设置在主动区中，通过在半导体基底中的围绕的绝缘层结构来定义主动区。本发明所述双极性装置，具有改善过的效能、相容于互补金属氧化半导体技术、简洁的布局、步骤的简化、以及额外增加一终端，用以调整本身。
基本信息
专利标题 ：
双极性装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101599490A
申请号 ：
CN200910142354.9
公开（公告）日 ：
2009-12-09
申请日 ：
2006-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄建祥
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200910142354.9
主分类号 ：
H01L27/082
IPC分类号 ：
H01L27/082 H01L29/739 H01L29/06 H01L29/08
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/082
只包含双极型的组件
法律状态
2012-03-21 ：
授权
2010-02-03 ：
实质审查的生效
2009-12-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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