具有可移去阳极的用于大面积衬底的改进磁控管溅射系统
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

本发明通常提供了一种用于在物理气相沉积(PVD)室中处理衬底表面的装置和方法,该物理气相沉积室具有增大的阳极表面面积以提高大面积衬底上的沉积均匀性。通常,本发明的某些方面可用于平板显示处理、半导体处理、太阳能电池处理或任何其他衬底处理。在一个方面,处理室包含一个或更多个阳极组件,这一个或更多个阳极组件用来增加阳极表面面积,并使阳极表面面积在处理室的处理区域中的分布更加均匀。在一个方面,阳极组件包含导电构件和导电构件支撑。在一个方面,处理室适合于允许导电构件从处理室中移出,而不用从处理室中移去任何主要的部件。

基本信息
专利标题 :
具有可移去阳极的用于大面积衬底的改进磁控管溅射系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1896299A
申请号 :
CN200610057071.0
公开(公告)日 :
2007-01-17
申请日 :
2006-03-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
细川明广海民和·H·勒稻川真约翰·怀特
申请人 :
应用材料公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 :
赵飞
优先权 :
CN200610057071.0
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  C23C14/54  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2011-04-06 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101079722523
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利申请号 : 2006100570710
公开日 : 20070117
2008-07-23 :
实质审查的生效
2007-01-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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