用于大面积衬底的改进磁控管溅射系统
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

本发明一般地提供了一种用于在物理汽相沉积(PVD)室中处理衬底表面的装置和方法,其具有增加的阳极表面积来提高在大面积衬底上的沉积均匀性。一般而言,本发明的方面可以用于平板显示器处理、半导体处理、太阳能电池处理、或任何其他衬底处理。在一个方面,处理室包含用于增加并更均匀地分布在处理室的整个处理区域中的阳极表面积的一个或多个可调阳极组件。在一个方面,一个或多个可调阳极组件适于用新的、未被沉积的阳极表面来更换已沉积的阳极表面而不破坏真空。在另一个方面,具有接地路径的遮蔽框适于在沉积期间接触衬底表面上的沉积层,以增加阳极面积并因此提高沉积均匀性。

基本信息
专利标题 :
用于大面积衬底的改进磁控管溅射系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1896298A
申请号 :
CN200510115246.4
公开(公告)日 :
2007-01-17
申请日 :
2005-11-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
约翰·怀特细川明广海民和·H·勒稻川真
申请人 :
应用材料公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 :
柳春雷
优先权 :
CN200510115246.4
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  C23C14/46  C23C14/54  C23C14/56  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2011-03-23 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101075701561
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利申请号 : 2005101152464
公开日 : 20070117
2008-07-23 :
实质审查的生效
2007-01-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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