磁控管溅射用磁电路装置及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种磁控管溅射用磁回路装置，具备：内侧永久磁铁列(3)，其由以上表面具有规定极性的磁极的方式连设的多个永久磁铁(30)构成；外侧永久磁铁列(4)，其包围内侧永久磁铁列(3)，并由以上表面具有与内侧永久磁铁列(3)的磁极反极性的磁极的方式连设的多个永久磁铁(40)构成；磁轭板(2)，其装拆自如地保持内侧永久磁铁列(3)及外侧永久磁铁列(4)的永久磁铁(30、40)；和至少逐个覆盖永久磁铁(30、40)的大致截面コ字状的非磁性保护罩构件(31、41)，各保护罩构件(31、41)由覆盖永久磁铁(30、40)的一侧面并且机械固定在磁轭板(2)上的第一侧板部(31a、41a)、覆盖永久磁铁(30、40)的另一侧面的第二侧板部(31b、41b)、一体地连结两侧板部(31a)及(31b)、(41a)及(41b)的上板部(31c、41c)构成，由各保护罩构件(31、41)的两侧板部(31a)及(31b)、(41a)及(41b)牢固地把持永久磁铁(30、40)。
基本信息
专利标题 ：
磁控管溅射用磁电路装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101107381A
申请号 ：
CN200680002673.4
公开（公告）日 ：
2008-01-16
申请日 ：
2006-02-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汤浅宏昭栗山义彦
申请人 ：
日立金属株式会社;新王磁材机工株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200680002673.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2011-01-19 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101063084871
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利申请号 : 2006800026734
公开日 : 20080116
号牌文件序号 : 101063084871
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利申请号 : 2006800026734
公开日 : 20080116
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2008-01-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
