固态成像装置
授权
摘要
本发明提供了一种MOS固态成像装置，其中MOS晶体管的耐压和1/f噪声得以改善。在该MOS固态成像装置中，它的单位像素至少包括光电转换部分和多个绝缘栅场效应晶体管，其中，在多个绝缘栅场效应晶体管中，在部分绝缘栅场效应晶体管中的栅极绝缘膜的厚度与至少部分其它绝缘栅场效应晶体管的栅极绝缘膜的厚度不同。
基本信息
专利标题 ：
固态成像装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832188A
申请号 ：
CN200610058934.6
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高木贺子森裕之
申请人 ：
索尼株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610058934.6
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2010-11-17 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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