前体、包含该前体制备的薄层、制备该薄层的方法和相变存储设...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种包含Te、15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的Te前体，一种制备该Te前体的方法，一种包含所述Te前体的含Te的硫族化物薄层，一种制备该薄层的方法，及一种相变存储设备。所述Te前体可以在较低温度下沉积形成掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的含Te的硫族化物薄层。举例来说，在较低沉积温度下，Te前体可以使用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)或等离子体增强的原子层沉积(PEALD)。使用所述Te前体形成的掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST相变层的重置电流可以降低，从而当使用包含它的存储设备时，其集成是可能的，并且更高容量和/或更快速度的操作也是可能的。
基本信息
专利标题 ：
前体、包含该前体制备的薄层、制备该薄层的方法和相变存储设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1970564A
申请号 ：
CN200610071134.8
公开（公告）日 ：
2007-05-30
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李正贤姜闰浩
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张平元
优先权 ：
CN200610071134.8
主分类号 ：
C07F7/10
IPC分类号 ：
C07F7/10 H01L45/00 H01L27/24 C23C16/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F7/00
含周期表第4或14族元素的化合物
C07F7/02
硅化合物
C07F7/08
具有1个或更多的C-Si键的化合物
C07F7/10
含有氮的
法律状态
2011-03-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101077080974
IPC(主分类) : C07F 7/10
专利申请号 : 2006100711348
公开日 : 20070530
号牌文件序号 : 101077080974
IPC(主分类) : C07F 7/10
专利申请号 : 2006100711348
公开日 : 20070530
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2007-05-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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