一种制备AlN薄层的方法
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摘要
本发明提供了一种制备氮化铝薄层的方法。本方法首先在衬底上生长一层氮化铝薄层，然后对此氮化铝薄层做热碱腐蚀处理，腐蚀出位错坑。腐蚀出位错坑的氮化铝薄层二次生长后，能够把底层产生的位错有效阻挡于位错坑内，形成低位错密度的氮化铝薄层，极大提高了氮化铝薄层的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种制备AlN薄层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112687771A
申请号 ：
CN202011558357.3
公开（公告）日 ：
2021-04-20
申请日 ：
2020-12-25
授权号 ：
CN112687771B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
至芯半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区河庄街道江东七路599号智造谷
代理机构 ：
北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭随丽
优先权 ：
CN202011558357.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L21/02 C23C16/34 C23C16/56 C23C16/52
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-05-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20201225
申请日 : 20201225
2021-04-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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