隔热壁体、发热体保持构造体、加热装置及基板处理装置
专利权的终止
摘要
一种隔热壁体,防止发热体的卡挂,将发热体的变形防止于未然。在设有发热体(42)的安装槽(40)的侧壁上设有倾斜的锥面(40b、40c),该锥面(40b、40c)是朝着隔热壁体(33)的中心方向而远离发热体(42)。在随着热膨胀而发热体(42)在安装槽(40)内向半径方向外侧移动时,能够防止发热体(42)被卡在安装槽(40)的锥面(40b、40c)上,所以即使发热体(42)降温而收缩,发热体(42)也能够在安装槽(40)内向半径方向内侧移动而返回到原位置。通过防止发热体的伴随着热膨胀及热收缩的变形,能够将伴随着发热体的热膨胀及热收缩而发生的发热体的断裂防止于未然,所以能够延长发热体的寿命。
基本信息
专利标题 :
隔热壁体、发热体保持构造体、加热装置及基板处理装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620006680.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-03-31
授权号 :
CN2914322Y
授权日 :
2007-06-20
发明人 :
杉浦忍立野秀人村田等
申请人 :
株式会社日立国际电气
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
永新专利商标代理有限公司
代理人 :
黄剑锋
优先权 :
CN200620006680.9
主分类号 :
H01L21/205
IPC分类号 :
H01L21/205 H01L21/22 H01L21/324 H01L21/00 H01L21/67 C23C16/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的,即化学沉积
法律状态
2016-04-27 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101658100454
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL2006200066809
申请日 : 20060331
授权公告日 : 20070620
终止日期 : 无
号牌文件序号 : 101658100454
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL2006200066809
申请日 : 20060331
授权公告日 : 20070620
终止日期 : 无
2007-06-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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