行场扫描电路
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种行场扫描电路,包括X射线保护电路、场偏转线圈、场S校正电容及三极管Q1,所述X射线保护电路的一端与FBT连接,另一端与所述三极管Q1的b极连接,所述三极管Q1的e极接地,c极与MCU连接;所述场偏转线圈与所述场S校正电容连接之后与所述三极管Q1的b极连接,所述行场扫描电路还包括二极管D2,所述二极管D2的正极与所述场S校正电容连接,负极与所述三极管Q1的b极连接。本实用新型通过增加与场S校正电容连接的二极管D2,在场S校正电容短路时,场S校正电容正极的直流电压通过二极管D2使Q1饱和导通,Q1集电极电位下降为零,MCU检测到低电平后发出待机命令,进而保护CRT不被破坏。

基本信息
专利标题 :
行场扫描电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620016347.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-12-07
授权号 :
CN200976632Y
授权日 :
2007-11-14
发明人 :
张颐辉
申请人 :
深圳创维-RGB电子有限公司
申请人地址 :
518000广东省深圳市南山区高新南一道创维大厦A13-16
代理机构 :
深圳中一专利商标事务所
代理人 :
张全文
优先权 :
CN200620016347.6
主分类号 :
H04N3/23
IPC分类号 :
H04N3/23  H04N3/20  H04N3/16  
法律状态
2015-01-21 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101596326514
IPC(主分类) : H04N 3/23
专利号 : ZL2006200163476
申请日 : 20061207
授权公告日 : 20071114
终止日期 : 20131207
2007-11-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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