使用热电分离设计的低温共烧陶瓷的LED光源封装结构
专利权的终止
摘要

本实用新型提供了一种使用热电分离设计的低温共烧陶瓷的LED光源封装结构。主要包括低温共烧陶瓷基板和固定在基板上的LED芯片,基板的上表面具有放置LED芯片的凹坑。低温共烧陶瓷基板为平板状,导电通路和导热通路互相独立。LTCC基板的材料以各种陶瓷原料为主,内外层电极使用银、金、铜或镍等金属。为了进一步提高导热性能,对基板进行热电分离设计,采用专用导热柱和导热焊盘对LED进行散热,通过导通的银柱将LED芯片产生的热量传到外部的散热装置;本实用新型的封装结构适用于多芯片的封装,可用于三基色或更多颜色的LED封装。

基本信息
专利标题 :
使用热电分离设计的低温共烧陶瓷的LED光源封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620017386.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-08-07
授权号 :
CN200965886Y
授权日 :
2007-10-24
发明人 :
陈盈君
申请人 :
陈盈君
申请人地址 :
518054广东省深圳市南山区浪琴屿8-902
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200620017386.8
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  H01L25/075  H01L25/00  H01L23/36  H01L23/498  
法律状态
2016-09-28 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101680495500
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006200173868
申请日 : 20060807
授权公告日 : 20071024
终止日期 : 20150807
2011-11-23 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101211906324
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006200173868
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 深圳市淼浩高新科技开发有限公司
变更后权利人 : 长治高科产业投资有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518102 广东省深圳市宝安区宝安桃花源科技创新园1号研发中心
变更后权利人 : 046000 中国山西省长治市解放西路12号
登记生效日 : 20110930
2010-05-05 :
文件的公告送达
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101001459076
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006200173868
专利申请号 : 2006200173868
收件人 : 李明远
文件名称 : 手续合格通知书
2010-02-24 :
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 陈盈君
变更后权利人 : 深圳市淼浩高新科技开发有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 广东省深圳市南山区浪琴屿8-902,邮编 : 518054
变更后 : 广东省深圳市宝安区宝安桃花源科技创新园1号研发中心,邮编 : 518102
登记生效日 : 20100115
2007-10-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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