丝网印刷铝背发射结N型单晶硅太阳电池
专利权的终止
摘要

本实用新型提供一种采用电阻率0.2-15Ω·cm的IC工业废N型单晶硅片制造的太阳电池;该电池结构层,自上电极至背电极,依次是上电极(-)、氮化硅减反射膜,厚度约为80nm、N+层厚度约为0.3-0.4um、N型集成电路废单晶硅片,电阻率0.2-15Ω·cm、P+铝硅合金层,厚度约为5-10u、背电极(+);在电池背部的P+铝硅合金层,和N+层硅片,形成P+/N发射极。本实用新型的优点是,(1)采用电阻率为0.2-15Ω·cm的IC工业废N型单晶硅片制造太阳电池;(2)采用常规工艺印刷铝浆,烧结形成P+/N背发射结;(3)发射结在电池的背面,而不是在电池的正面。是一种再生能源技术的开发。

基本信息
专利标题 :
丝网印刷铝背发射结N型单晶硅太阳电池
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620047100.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-10-25
授权号 :
CN200962428Y
授权日 :
2007-10-17
发明人 :
唐则祁胡宏勋张辉张立波夏明海孙励斌季凯春徐晓群黄岳文李华维
申请人 :
宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请人地址 :
315177浙江省宁波市鄞州区鄞县大道杉杉科创基地4号楼
代理机构 :
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 :
罗习群
优先权 :
CN200620047100.0
主分类号 :
H01L31/042
IPC分类号 :
H01L31/042  H01L31/06  
法律状态
2016-11-23 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101689447109
IPC(主分类) : H01L 31/042
专利号 : ZL2006200471000
申请日 : 20061025
授权公告日 : 20071017
终止日期 : 无
2007-10-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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