制作单晶硅太阳电池绒面的方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明涉及一种制作单晶硅太阳电池绒面的方法，其特点在于将单晶硅置入碱腐蚀溶液中，该碱腐蚀溶液是NaOH、酒精和葡萄糖的混合水溶液，其中，NaOH的浓度为0.5－1.5％，葡萄糖的浓度为1－5％，NaOH溶液∶酒精∶葡萄糖溶液＝(9－11)∶1∶(0.01－0.02)；腐蚀温度为85℃，腐蚀时间为30－45分钟。用本发明方法制备的绒面(正金字塔)小而均匀覆盖整个表面，金字塔塔尖清晰和低表面反射率(约8％左右)，提高了电池短路电流和光电转化效率。本发明适合大面积，如125×125mm²和156×156mm²太阳电池的生产使用。

基本信息

专利标题：

制作单晶硅太阳电池绒面的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1983644A

申请号：

CN200510111453.2

公开（公告）日：

2007-06-20

申请日：

2005-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

汪乐

申请人：

上海太阳能科技有限公司

申请人地址：

201108上海市莘庄工业区申南路555号

代理机构：

上海航天局专利中心

代理人：

金家山

优先权：

CN200510111453.2

主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L31/18 H01L21/306 C23F1/40