横向DMOS结构

专利权的终止

摘要

本实用新型揭示了一种横向DMOS结构，在栅极靠近漏极的一侧具有低浓度掺杂的P区。该横向DMOS结构在靠近栅极的表面电场强度被削弱。采用本实用新型的技术方案，能有效降低栅极附近的电场大小，从而增加DMOS器件的安全工作区域的大小并提高器件长期工作的可靠性。并且不需要增加制造的成本。

基本信息

专利标题：

横向DMOS结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620114836.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-04-24

授权号：

CN200969352Y

授权日：

2007-10-31

发明人：

刘先锋任冲黄海涛

申请人：

BCD半导体制造有限公司

申请人地址：

英属开曼群岛大开曼

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

张政权

优先权：

CN200620114836.5

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/02 H01L27/088

法律状态

2016-05-25 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101662505442
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006201148365
申请日 : 20060424
授权公告日 : 20071031
终止日期 : 无

2009-01-14 ：

专利实施许可合同的备案

合同备案号 : 2008990000590
让与人 : BCD半导体制造有限公司
受让人 : 上海新进半导体制造有限公司
发明名称 : 横向DMOS结构
申请日 : 20060424
授权公告日 : 20071031
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 2008.10.8
合同履行期限 : 2007.11.30至2013.11.30合同变更

2008-08-06 ：

专利实施许可合同的备案

合同备案号 : 2008990000126
让与人 : BCD半导体制造有限公司
受让人 : 上海新进半导体制造有限公司
发明名称 : 横向DMOS结构
申请日 : 20060424
授权公告日 : 20071031
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 2008.6.13
合同履行期限 : 2008.5.27至2016.4.23合同变更

2007-10-31 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN200969352Y.PDF

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