形成自钝化互连的方法以及所得到的装置
专利权的终止
摘要
一种形成自钝化互连的方法。两个相匹配的键合结构(213、223)中的至少一个，至少部分由第一金属和第二金属(或其它元素)的合金形成。第二金属能够迁移通过第一金属到达相匹配的键合结构的自由表面。在键合期间，这两个相匹配的键合结构(213、223)键合在一起以形成互连，并且第二金属偏析到该互连的自由表面以形成钝化层(240)。说明并要求保护其它的实施例。
基本信息
专利标题 ：
形成自钝化互连的方法以及所得到的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101120444A
申请号 ：
CN200680005045.1
公开（公告）日 ：
2008-02-06
申请日 ：
2006-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·科布林斯基J·何K·奥布赖恩Y·周S·拉马纳坦
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200680005045.1
主分类号 ：
H01L21/98
IPC分类号 ：
H01L21/98 B23K35/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/98
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组元组成的器件的组装；集成电路器件的组装
法律状态
2022-02-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/98
申请日 : 20060316
授权公告日 : 20091118
终止日期 : 20210316
申请日 : 20060316
授权公告日 : 20091118
终止日期 : 20210316
2009-11-18 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2008-02-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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