等离子体氧化及氧化材料的去除
专利权的终止
摘要
一种蚀刻导电层的方法，包括转化此导电层的至少一部分和蚀刻此导电层以基本去除此导电层的被转化部分并由此暴露保留的表面。保留的表面具有低于大约10nm的平均表面粗糙度。也公开了用于蚀刻导电层的系统。
基本信息
专利标题 ：
等离子体氧化及氧化材料的去除
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101164121A
申请号 ：
CN200680007411.7
公开（公告）日 ：
2008-04-16
申请日 ：
2006-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金允圣A·贝利三世尹央锡A·M·豪瓦德
申请人 ：
兰姆研究有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
段晓玲
优先权 ：
CN200680007411.7
主分类号 ：
H01B13/00
IPC分类号 ：
H01B13/00 C23F1/00 C03C15/00 C23F3/00 C03C25/68
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B13/00
制造导体或电缆制造的专用设备或方法
法律状态
2020-03-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01B 13/00
申请日 : 20060227
授权公告日 : 20110126
终止日期 : 20190227
申请日 : 20060227
授权公告日 : 20110126
终止日期 : 20190227
2011-01-26 ：
授权
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2008-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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