集成薄膜太阳能电池及其制造方法、及集成薄膜太阳能电池的透...
专利权的终止
摘要

本发明涉及集成薄膜太阳能电池,尤其涉及最小化制造过程所引起的集成太阳能电池的损耗并可通过低成本工序获得的集成薄膜太阳能电池,以及制造该太阳能电池的方法,用于集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法,其通过最小化集成薄膜太阳能电池的单元电池之间(绝缘)间隙能够加宽有效区域并减少制造成本,以及透明电极的结构,以及具有透明电极的透明基板。制造集成薄膜太阳能电池的方法包括以下步骤:(a)单独在透明基板上形成透明电极图案;(b)在步骤(a)的基板上形成太阳能电池(半导体)层;(c)通过在太阳能电池(半导体)层上倾斜沉积导电材料形成第一后电极;(d)通过将第一后电极作为掩模蚀刻太阳能电池(半导体)层;和(e)通过在步骤(d)的基板上倾斜沉积金属形成第二后电极以使透明电极和第一后电极电连接。

基本信息
专利标题 :
集成薄膜太阳能电池及其制造方法、及集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法及其结构、及具有处理过的透明电极的透明基板
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101142690A
申请号 :
CN200680008251.8
公开(公告)日 :
2008-03-12
申请日 :
2006-03-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
林宏树权圣源郭中焕朴相一尹浚宝文建又
申请人 :
韩国科学技术院
申请人地址 :
韩国大田市
代理机构 :
北京中安信知识产权代理事务所
代理人 :
张小娟
优先权 :
CN200680008251.8
主分类号 :
H01L31/042
IPC分类号 :
H01L31/042  
法律状态
2015-05-06 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101608727897
IPC(主分类) : H01L 31/042
专利号 : ZL2006800082518
申请日 : 20060316
授权公告日 : 20091216
终止日期 : 20140316
2009-12-16 :
授权
2008-05-07 :
实质审查的生效
2008-03-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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