具有像素内处理电路的X射线检测器
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种具有由闪烁层(11)、耦合层(12)和敏感层(13)组成的像素阵列(10)的X射线检测器。耦合层(12)包括光导单元(17)和屏蔽单元(16)，其中屏蔽单元(16)置于易受X射线干扰的电子处理电路(15a，15b)上。在可替换实施例中，耦合层由透光并吸收X射线的材料例如铅玻璃组成。优选地，组合在耦合层(12)中的波长转换材料将在闪烁层(11)中所产生光子的波长(λ1)转换为敏感层(13)具有更高灵敏度的值(λ2)。
基本信息
专利标题 ：
具有像素内处理电路的X射线检测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142497A
申请号 ：
CN200680008325.8
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·泽特勒G·沃格特－迈耶
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
龚海军
优先权 ：
CN200680008325.8
主分类号 ：
G01T1/202
IPC分类号 ：
G01T1/202
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T1/00
X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量
G01T1/16
辐射强度测量
G01T1/20
用闪烁探测器
G01T1/202
闪烁体是晶体的
法律状态
2021-02-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01T 1/202
申请日 : 20060310
授权公告日 : 20110601
终止日期 : 20200310
申请日 : 20060310
授权公告日 : 20110601
终止日期 : 20200310
2011-06-01 ：
授权
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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