在X射线成像仪中将直接转换的X射线的影响最小化

专利申请权、专利权的转移

摘要

在一实施例中，用于X射线成像仪(200)的图像传感器(290)包括光电二极管(223)和读出电路。在读出电路之下形成的深阱(232)可以被配置为二极管，用以排出寄生电子，否则的话，寄生电子会在图像中产生噪声。例如，寄生电子可以被排出到电源或者用于计量目的的测量电路。

基本信息

专利标题：

在X射线成像仪中将直接转换的X射线的影响最小化

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101401219A

申请号：

CN200680013674.9

公开（公告）日：

2009-04-01

申请日：

2006-03-01

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

D·R·谢弗T·A·沃尔查普

申请人：

塞浦路斯半导体公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司

代理人：

王勇

优先权：

CN200680013674.9

主分类号：

H01L31/113

IPC分类号：

H01L31/113

法律状态

2013-04-03 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101559394356
IPC(主分类) : H01L 31/113
专利号 : ZL2006800136749
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 安森美半导体贸易公司
变更后权利人 : 半导体组件工业公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 百慕大群岛HM19汉米敦市希尔路1号翰玛大楼3楼
变更后权利人 : 美国亚利桑那州85008凤凰城东麦克道威尔路5005号
登记生效日 : 20130312

2011-11-09 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101205305379
IPC(主分类) : H01L 31/113
专利号 : ZL2006800136749
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 塞浦路斯半导体公司
变更后权利人 : 安森美半导体贸易公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 百慕大群岛HM19汉米敦市希尔路1号翰玛大楼3楼
登记生效日 : 20110921

2010-09-22 ：

授权

2009-05-27 ：

实质审查的生效

2009-04-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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