结隔离通道
专利权的终止
摘要
本发明提供一种在硅基板中形成结隔离、导电通道的方法，以及将电信号从硅晶片的一侧传送到另一侧的导电设备。通过用不同于硅基板材料的掺杂物扩散通道，导电通道与硅基板的主体结隔离。在硅基板以及连接到第二硅基板的硅晶片中可以形成几个结隔离通道，该第二硅基板由要求电连接的装置组成。形成结隔离、导电通道的这一工艺比形成金属通道的方法简单，尤其是对于耐电阻和电容的电气装置。
基本信息
专利标题 ：
结隔离通道
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101171674A
申请号 ：
CN200680015063.8
公开（公告）日 ：
2008-04-30
申请日 ：
2006-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
莱斯利·B·威尔纳
申请人 ：
恩德夫科公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200680015063.8
主分类号 ：
H01L21/4763
IPC分类号 ：
H01L21/4763
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46
用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/461
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理
法律状态
2015-04-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101605904711
IPC(主分类) : H01L 21/4763
专利号 : ZL2006800150638
申请日 : 20060227
授权公告日 : 20121226
终止日期 : 20140227
号牌文件序号 : 101605904711
IPC(主分类) : H01L 21/4763
专利号 : ZL2006800150638
申请日 : 20060227
授权公告日 : 20121226
终止日期 : 20140227
2012-12-26 ：
授权
2012-07-11 ：
著录事项变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101415733502
IPC(主分类) : H01L 21/4763
专利申请号 : 2006800150638
变更事项 : 申请人
变更前 : 恩德夫科公司
变更后 : 梅吉特(圣胡安卡皮斯特拉诺)股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
号牌文件序号 : 101415733502
IPC(主分类) : H01L 21/4763
专利申请号 : 2006800150638
变更事项 : 申请人
变更前 : 恩德夫科公司
变更后 : 梅吉特(圣胡安卡皮斯特拉诺)股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
2008-06-25 ：
实质审查的生效
2008-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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