谐振电感-电容隔离数据通道
公开
摘要
本申请涉及谐振电感‑电容隔离数据通道。电子器件(100)具有衬底以及带有谐振电路的第一和第二金属化级。第一金属化级具有在衬底(101)的一侧上的第一介电层(102)，以及在第一介电层(102)上的第一金属层(103)。第二金属化级具有在第一介电层(102)和第一金属层(103)上的第二介电层(104)，以及在第二介电层(104)上的第二金属层(105)。电子器件(100)包括在第一金属层(103)中的第一极板(123、124、127、128)，和在第二金属层(105)中的与第一极板(123、124、127、128)隔开的第二极板(121、122、125、126)以形成电容器(C1、C2、C3、C4)。电子器件(100)包括绕组(131、132、133、134)，该绕组在第一和第二金属层(103、105)中的一个中并且联接到谐振电路中的第一和第二极板(123、124、127、128；121、122、125、126)中的一个。
基本信息
专利标题 ：
谐振电感-电容隔离数据通道
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628371A
申请号 ：
CN202111503142.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
K·德汉M·V·伊万诺夫T·B·弗利兹S·桑卡兰T·D·博尼费尔德
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
袁策
优先权 ：
CN202111503142.6
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H03H7/01
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
