多分区热盘结构

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及半导体晶片加工技术，具体地说是多分区热盘结构，解决热盘表面温度的均匀性不好，不能满足高精度加热的要求等问题。热盘中设有上盘和下盘以及安装于上下盘中间的加热片，加热片分成多个区，每个区设有独立的温度传感器。本实用新型在热盘上盘和压片中夹入一片分有多个区的加热片，并在每个区设计有独立的温度传感器，通过可以控制多路加热的控制器控制，并保证上盘的厚度、加工精度、平面度、表面处理和材料等条件达到热盘温度均匀性的要求。

基本信息

专利标题：

多分区热盘结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720014858.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-09-29

授权号：

CN201084709Y

授权日：

2008-07-09

发明人：

张怀东

申请人：

沈阳芯源微电子设备有限公司

申请人地址：

110168辽宁省沈阳市浑南新区飞云路16号

代理机构：

沈阳科苑专利商标代理有限公司

代理人：

张志伟

优先权：

CN200720014858.9

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/02 H01L21/67 H05B3/20