硅电容传声器

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种硅电容传声器，包括线路板、MEMS声学芯片和壳体，所述壳体和所述线路板结合形成两个独立的空腔，所述MEMS声学芯片安装在其中一个空腔内的所述线路板上，所述线路板内部设有连通所述MEMS声学芯片底部空间和另一个空腔的声学通道，所述两个空腔的壳体上设有至少一个与外界连通的声孔；在此类结构中，声波从壳体上的声孔进入到其中一个空腔，作用到MEMS声学芯片上或者通过线路板内部的声学通道作用到MEMS声学芯片上。MEMS声学芯片后端的空间成为MEMS声学芯片的后腔，使MEMS声学芯片后腔的增大不再受线路板的限制，可大大提高MEMS声学芯片的声学性能；并且，这种设计不会增加线路板的厚度，并且能够很好地解决硅电容传声器的防尘问题。

基本信息

专利标题：

硅电容传声器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720028114.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-09-18

授权号：

CN201153325Y

授权日：

2008-11-19

发明人：

王显彬党茂强谷芳辉

申请人：

歌尔声学股份有限公司

申请人地址：

261031山东省潍坊市高新技术产业开发区东方路268号

代理机构：

潍坊正信专利事务所

代理人：

宫克礼

优先权：

CN200720028114.2

主分类号：

H04R19/01

IPC分类号：

H04R19/01 H04R19/04