MOS型过温保护电路

专利权的终止

摘要

一种MOS型过温保护电路，包括：温度信号采样电路和窗口形成电路，温度信号采样电路，有一个NMOS管(M1)和一个二极管(D1)连接而成，用于检测电路的温度变化，窗口形成电路，由两个NMOS管(M3、M4)和反向器(A1)连接而成，本实用新型电路具有以下优点：第一，温度信号采样电路不使用采样电阻，消除了过温保护电路对采样电阻精度的要求；第二，本方案过温点和窗口的设计与MOS管的阈值电压不相关，因此过温保护的精度相对普通的过温保护电路有了很大改善；第三，该电路不使用三极管，能广泛应用于MOS集成电路中。

基本信息

专利标题：

MOS型过温保护电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720036138.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-04-12

授权号：

CN201038745Y

授权日：

2008-03-19

发明人：

易扬波陶平

申请人：

无锡博创微电子有限公司

申请人地址：

214028江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园D座4楼

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

楼高潮

优先权：

CN200720036138.2

主分类号：

H02H7/20

IPC分类号：

H02H7/20