等离子平板显示器驱动芯片结构

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种等离子平板显示器驱动芯片结构，适用于等离子平板显示器列选址驱动芯片和等离子平板显示器行扫描驱动芯片，芯片结构包括P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有高压－P型横向金属氧化物半导体管、高压－N型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管，在P型衬底与N型外延层之间设有N型重掺杂埋层且高压－P型横向金属氧化物半导体管、高压－N型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管位于N型重掺杂埋层的上方，本实用新型结构，基于外延材料，材料成本上与SOI相比具有较大优势，并且国内外延技术比较成熟。

基本信息

专利标题：

等离子平板显示器驱动芯片结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720046401.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-09-26

授权号：

CN201130665Y

授权日：

2008-10-08

发明人：

李海松吴虹孙伟锋易扬波时龙兴

申请人：

东南大学

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

陆志斌

优先权：

CN200720046401.6

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092